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[原创]leD散热(六)

度+273)3x(温度差)[°c]   热辐射系数不但和材料有关,而且还和加工有关。各种材料在8-14微米的红外辐射率如下表所示:   由表中可见,氧化处理是改进材料的辐

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139190.html2011/3/7 16:17:00

[原创]leD散热(五)

阻(也就是芯片的热阻)   rj2:焊料的热阻   rj3:铝基板的热阻   rj4:导热硅胶的热阻   rj5:从散热器到空气的热阻   所以从芯片到空气的总热阻就应

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139189.html2011/3/7 16:13:00

[原创]leD散热(三)

常在1.7-3.2°c/w。 而采用全胶的铝基板的热阻可以做到0.05°c/w,市场出售的商品也可以低至0.2-0.5°c/w。   一种性能更好的铝基板是采用直接在铝板上生成陶

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139187.html2011/3/7 16:05:00

广告媒体代理 海航登机牌广告面对高端人群的快速推广法宝

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  http://blog.alighting.cn/aries101/archive/2011/3/7/139185.html2011/3/7 15:55:00

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  http://blog.alighting.cn/aries101/archive/2011/3/7/139184.html2011/3/7 15:53:00

[原创]leD散热(二)

艺,表面平整度可以0.3um,不会有氧化物生成,附着性好,电路精细,误差低于+/-1%。它实际上是采用照相刻蚀的方法来制作,采用氧化铝为基底的薄膜电路制备的具体过程如下: 图6

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139181.html2011/3/7 15:50:00

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[原创]leD的散热(一)

底的leD。   图3. 蓝宝石和碳化硅衬底的leD结构图   采用碳化硅作为基底以后,的确可以大为改善其散热,但是其成本过高,而且有专利保护。最近国内的厂商开始采用硅材料作为基

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