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热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
月就光衰百分之几十。于是各个厂家又在绞尽脑汁，千方百计想办法，怎样才能减少led光源到led热沉、到安装印刷铝基板、到散热器之间的热阻。 于是，别无他法，只有用低热阻的导热胶填
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/3/14/140890.html2011/3/14 9:41:00
构，采用全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/12/165017.html2011/4/12 10:07:00
能提高pcr反应煌特异性。因此从本质而言温控方式就从以前相对稳定耐用的机械式转向了升降温更快速的半导体。除了机械本身的原因，影响升降温速度的还有制作承托样品管的基座模块的材料的导热
http://blog.alighting.cn/baotin9451/archive/2011/7/7/228865.html2011/7/7 9:44:00
次是对流。 下面的等式给出了以传导方式热传递的数学模型： 其中h是传热速率(单位为j/s),k为材料的导热系数,a为面积,(th–tl)为温差,d为距离。当界面之间的接触面积增
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229866.html2011/7/17 22:47:00
d系统所衍生的热问题将是影响产品功能优劣关键,要将led组件的发热量迅速排出至周遭环境,首先必须从封装层级(l1& l2)的热管理着手；目前的作法是将led晶粒以焊料或导热
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00
、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
