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p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
品uvtop275，寿命超过10,000小时。其预测led寿命的方法是根据统计学原理对几个批次的产品进行测量，被测led封装在有窗口的to-39金属玻璃测量器里进行超负荷实验后，平均输出功
https://www.alighting.cn/news/20110718/114916.htm2011/7/18 10:41:07
近年来，我国半导体照明市场发展迅速，资金纷纷涌入。据业内人士透露，尽管目前我国白光发光二极管产业发展比较快，但关键设备及材料的严重依赖进口，比如金属有机化学气相沉积、等离子刻蚀机
https://www.alighting.cn/news/20110718/90279.htm2011/7/18 9:55:28
压成型5、固晶工艺：银胶烘烤→金属共晶6、生产及检测设备：手工操作→半自动操作→全自动操作目前全自动固晶、焊线的设备相对成熟,荧光粉涂布、柔性光学硅胶灌封、软性光学硅胶模压成型、检
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229963.html2011/7/17 23:38:00
此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(osram)使用sic材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
率可达0.3w 。接着osram 公司推出“power top led”, 是采用金属框架的plcc 封装结构,其外形图如图2 所示。之后一些公司推出多种功率led 的封装结构,其
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
度增加至一定程度后下降。图一：不同ce含量对yag：ce发射光谱的影响2、助熔剂的影响助熔剂一般多为金属氟化物,为了避免较多的外来金属离子引入,又能使激活剂更好地进入基质晶格中,我
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
别,但激发强度明显不同。由此可知,激活剂二价铕的含量对该荧光粉的发光效率有显著的影响,但其含量的多少对激发和发射光谱的位置和形状没有明显的影响。该系列荧光粉以碱土金属硫化物为基质,不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
为mocvd技术是以in有机源为金属源,以n2作为载气,nh3作为氮源,通过二步制程或其它手段在低温500℃左右进行inn生长。mocvd的生长速度适中,可以比较精确地控制外延薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
