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d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31
﹑sr等 c、超高亮度：ug﹑uy﹑ur﹑uys﹑urf﹑ue等 d、不可见光(红外线)：r﹑sir﹑vir﹑hir e、红外线接收管：pt f、光电管：pd 2、按组
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261544.html2012/1/8 21:49:07
者：“从实现手段上来看，led照明技术囊括了功率器件及其高压制程工艺、功率集成电路设计、热学管理、先进封装及其光电集成技术等多项先进制造技术。”“与发达国家相比，我国在照明led驱
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261560.html2012/1/8 21:50:47
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
准规范的不完善以及人才缺乏也影响着emc模式的推广。 台湾乐雷光电董事长熊克苍说的好：“投资led产品的企业要考虑以下三点；1.懂不懂led、懂不懂照明，2.生产的产品销路在什
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261584.html2012/1/8 21:53:51
基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
度好和圆头led点面积亮度高的优点，使两者取长补短，发挥最大的光效，克服了平头led点面积亮度不如圆头led,而圆头led光均匀度不如平头led的缺点。 在控制器方面，利用太阳能光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261616.html2012/1/8 22:01:56
据了解，杭州钦钺科技有限公司（ktt）自主研发的国内首款epon终端芯片即将正式投产。在互联网应用全面进入“光时代”之际，这款光通信核心芯片的研发成功引起了业内外广泛关注。（见光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261635.html2012/1/8 22:26:20
1．光电特性: led在其电流极限参数范围内流过led的电流越大,它的发光亮度越高.即led的亮度与通过led的 电流成正比.但绿光和蓝光及白光在大电流情况下会出现饱和现
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262589.html2012/1/29 0:32:05
