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采用0.35μM双栅标准cMos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
属氧化物化学气相沉积(Mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μM厚的n型gan层,4层量子阱和200nM厚的p型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μM的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
本文基于2μM 15v双极型工艺设计了一种电流控制型pfM boost dc-dc开关变换器芯片，通过采用低反馈电阻技术减小外部反馈电阻的损耗，并采用负载电流反馈技术调节系统占空
https://www.alighting.cn/resource/20110725/127396.htm2011/7/25 16:21:54
定。 jazel350特点 使用jaz光谱仪 #2光栅（350-1000nM） 探测器350-1000nM intsMa-25 - 25μM狭缝 l2 光收
http://blog.alighting.cn/bosheng987/archive/2010/4/10/39796.html2010/4/10 10:28:00
2rp 检测距离 1 M 7 M 10 M 0.1 ~ 2 M 检测物体 ø6 MM 以上 ø20 MM 以上 电源电压 12 - 24
http://blog.alighting.cn/zhaohr158889/archive/2010/4/14/40188.html2010/4/14 16:29:00
全过载： 150%fs极限过载： 200%fs响应时间： 5 Ms(上升到90%fs) 负载电阻: 电流输出型：最大800ω；电压输出型：大于50kω 绝缘电阻: 大于2000M
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41191.html2010/4/22 15:16:00
流输出型：最大800ω；电压输出型：大于50kω 绝缘电阻: 大于2000Mω (100vdc 密封等级: ip65 长期稳定性能: 0.1%fs/年 振动影响: 在机械振动频率2
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41196.html2010/4/22 15:32:00
缘电阻: 大于2000Mω (100vdc) 密封等级: ip65 长期稳定性能: 0.1%fs/年 振动影响: 在机械振动频率20hz～1000hz内，输出变化小于0.1%f
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41197.html2010/4/22 15:33:00
缘电阻： 大于2000Mω (100vdc) 密封等级： ip65 长期稳定性能： 0.1%fs/年 振动影响： 在机械振动频率20hz～1000hz内，输出变化小于0.1%f
http://blog.alighting.cn/hdsensor/archive/2010/4/22/41236.html2010/4/22 17:19:00
