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d芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
至本身导热片(tjs)温升为δt＝6~15℃之间，另外led光效率与工作温度成反比性能特性，每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果，与一般宣传led可工作于100℃寿命可
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258578.html2011/12/19 11:01:16
流的功率型led芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散
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http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18
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