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led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

要能避免mo gas金属有机蒸发源与nh3在预热区就先进行反应3进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说gan的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解,另外一方面由动力学仿

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

未来新星 浅谈oled显示技术

所使用的有机半导体材料大致可分为小分子器件和高分子器件( pled )两种。小分子 oled 技术发展的较早,因而技术也较为成熟。高分子器件( pled )的发展始于 1990

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00

led照明突出优点及广泛的用途(这篇文章挺不错就转了过来希望可以有用)

展到通用照明领域,从证券行情到股票机,从笔记本电脑到数码相机,从pda到手机,从室内照明到汽车车灯,led无处不在。   有机led显示屏的单个元素反应速度是lcd液晶屏的1000

  http://blog.alighting.cn/jiaxinlamp/archive/2011/5/23/180181.html2011/5/23 15:11:00

[原创]【给中国参展商】2011越南食品饮料及加工包装国际博览会 中国总代理

览会参展商收获的成果? ◇参展商有机会把产品、服务及技术向国内采购商、贸易代表及生产商推介; ◇在10个观展者中大概有7个人寻找新的供应商和生产商;84%的观展者是决定产品进口

  http://blog.alighting.cn/dillxu/archive/2011/6/1/186983.html2011/6/1 11:11:00

白光led简史

业(nichia)的独门专利。然而,随着该公司专利战略的不得不变更,白色光led的市场面以及性能面,有机会演起一场大变格的戏码。市场面的首要冲激变革,即是供给体制的变化。当有更多的竞争者,进

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229907.html2011/7/17 23:08:00

gan外延片的主要生长方法

外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

外延生长技术概述

度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和n型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

免mo gas金属有机蒸发源与nh3在预热区就先进行反应3进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说gan的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解,另外一方面由动力学仿真也得

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00

未来新星 浅谈oled显示技术

模日渐壮大。oled技术的飞速发展已经动摇了 lcd 与 pdp 的霸主地位,成为未来显示领域极具竞争力的新星。   oled显示技术是一门相当年轻的显示技术,依其所使用的有机半导

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230509.html2011/7/20 23:24:00

未来新星 浅谈oled显示技术

模日渐壮大。oled技术的飞速发展已经动摇了 lcd 与 pdp 的霸主地位,成为未来显示领域极具竞争力的新星。   oled显示技术是一门相当年轻的显示技术,依其所使用的有机半导

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