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程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简mocvd，又称外延炉），再通入iii、ii族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(v或vi族元素）的氢化物（或烷
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
术也需改善. 在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游归led封装与测试.研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
导体有源层及衬底、粘结衬底与热沉材料的热阻； rthsb(热沉到散热电路板) ＝热沉、连结热沉与散热电路板材料的热阻； rthba（散热电路板到空气/环境）＝散
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00
了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
“golden dragon led”我国台湾uec 公司(国联)采用金属键合(metal bonding) 技术封装的mb 系列大功率led,其特点是用si 代替gaas 衬底,散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
