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d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04
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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07
