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条形叉指n阱和p衬底结的硅led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52

荧光胶封装工艺对其显色性能的影响5

图5-3 黄色荧光粉激发光谱能量分布图   (2)两种荧光粉的荧光胶封装   两种荧光粉的封装,本文试验采用了两种荧光胶分层封装和两种荧光粉混合后封装的不同荧光胶封装工艺。通

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127054.html2011/1/12 16:48:00

相关振动时效设备工艺参数选择及技术要求

相关振动时效设备工艺参数选择及技术要求 下面是振动时效设备操作人员分析的工艺参数选择及技术要求1 振前分析① 根据工件结构、尺寸材质、时效要求、残余应力场分布,分析判断所需有效

  http://blog.alighting.cn/zhendongsx/archive/2011/7/7/228965.html2011/7/7 21:15:00

光影之约 日照明胜利返航

6月12日,“世界第一大照明与led展”——第16届广州国际照明展览会,完美地落下帷幕。作为全球规模最大的照明展览会,汇聚了世界最优秀的照明领域生产及贸易企业参展。

  https://www.alighting.cn/news/2013618/n363452830.htm2013/6/18 14:55:57

[原创]2010年迪拜国际工艺礼品展

2010年迪拜国际礼品展/迪拜国际工艺礼品展/中东礼品展/中东国际礼品展/ 展会名称: 2010迪拜国际工艺礼品展 展会时间: 2010年9月26日-9月28日 展会地点:

  http://blog.alighting.cn/jiacuilihu/archive/2010/7/14/55767.html2010/7/14 9:54:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型le

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型le

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型le

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型le

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