我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

蓝色发光二极管发明者获芬兰千年技术奖

新华网赫尔辛基6月15日电(记者赵长春)芬兰技术奖励基金会15日宣布，将本年度的“千年技术奖”授予蓝色发光二极管发明者中村修二，他将因此获得100万欧元的奖金。

  https://www.alighting.cn/news/20060619/101715.htm2006/6/19 0:00:00

“硅基镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

第三代半导体材料gan产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料，gan材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

用于白光led照明的荧光粉情况

众所周知，蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。 led基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到

  https://www.alighting.cn/resource/20060301/128923.htm2006/3/1 0:00:00

enlux led基强光照明灯获国际灯饰展两项大奖

美国enlux公司开发的照明用途的enlux led基强光照明灯在最近召开的拉斯维加斯国际灯饰展上获得了两项奖。在色温3000k下，暖白光发光亮度大于500 lm，它是为了代替4

  https://www.alighting.cn/news/20051212/101677.htm2005/12/12 0:00:00

led技术：外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

氮化镓基高亮度 led核心专利与分析

  https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00

物理学院承担的两项目通过863专家组验收

国家863计划新材料领域光电子主题专家组一行六人，于3月2日来北京大学宽禁带半导体研究中心，对该中心承担的《氮化镓基激光器(方案二)》(课题组长：胡晓东)和《氮化镓基紫光及紫

  https://www.alighting.cn/news/20050307/103895.htm2005/3/7 0:00:00

山西运城实施13大城市道路照明工程

12月25日，山西运城市城市照明管理处的两名工作人员正在冒雪为刚立好的路灯基杆接电源。为改善城市面貌，运城市政府今年投资690余万元，实施了13大城市道路照明工程，先后对河东街

  https://www.alighting.cn/news/20041229/101301.htm2004/12/29 0:00:00