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一。并以此作为区域发展用地的“红线”，以规划的形式确定下来，作为区域发展的用地方针。 胶州湾底有着不可多得的湿地地貌，同时多条河流在这里入海，流域的生产生活用水影响水质。保护和治
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258512.html2011/12/19 10:57:18
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
对于led照明领域，去年底国家科技部、财政部启动的“十城万盏”计划，实在是一个诱人的大蛋糕。根据该计划，2010年要在10-20个城市推广30万盏以上led市政照明灯具，粗略计
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258498.html2011/12/19 10:56:35
d上游衬底材料、外延片、芯片生产上核心专利和领先技术，成为产业界的龙头，韩国和中国台湾地区通过技术跟踪和规模化发展成为全球重要的led生产基地，而中国大陆、马来西亚等国家和地区在技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258497.html2011/12/19 10:56:33
光效果方面的优势，还是成为了欧洲消费者的最佳选择。在美国led灯饰也占了20%-30%的灯饰及应用照明市场，预计至2010年年底占有率会提升到90%以上。至于起飞很快的中国市场，目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258496.html2011/12/19 10:56:32
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
离蓝宝石生长衬底。导电支援衬底包括，金属及合金衬底，硅衬底等。无论是gap基led、gan基led，还是zno基led这一类通孔垂直结构led，相比传统结构led有着较大的优势，具
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258464.html2011/12/19 10:54:49
