站内搜索
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政府措施纷纷出台。欧盟、加拿大、澳大利亚和美国等分别将从2009、2010和202
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。 一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温mocvd沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
5 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14
场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。 当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281414.html2012/7/11 14:05:37
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
