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大功率led封装以及散热技术

d器件就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造方有如下几种: 2.1加大尺寸: 通过增大单颗led的有效发光面积,和增大尺寸后促使得流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

d器件就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造方有如下几种: 2.1加大尺寸: 通过增大单颗led的有效发光面积,和增大尺寸后促使得流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

白光型发光二极管之背光设计

则亮度高,流量小则亮度低,改变方式可采电压调整或脉宽调变(pulse wide modulation;pwm)。所谓电压调整,在于改变wled的驱动电压,电压高则流经wle

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00

大功率照明级led的封装技术

率led器件,就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造大功率led芯片的方有如下几种: ① 加大尺寸。通过增大单体led的有效发光面积和尺寸,促使流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

大功率照明级led的封装技术、材料详解

率led芯片。国际上通常的制造大功率led芯片的方有如下几种: ①加大尺寸。通过增大单体led的有效发光面积和尺寸,促使流经tcl层的电流均匀分布,以达到预期的光通量。但

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

白光型发光二极管之背光设计

则亮度高,流量小则亮度低,改变方式可采电压调整或脉宽调变(pulse wide modulation;pwm)。所谓电压调整,在于改变wled的驱动电压,电压高则流经wle

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230487.html2011/7/20 23:14:00

大功率led封装以及散热技术

d器件就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造方有如下几种: 2.1加大尺寸: 通过增大单颗led的有效发光面积,和增大尺寸后促使得流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

d器件就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造方有如下几种: 2.1加大尺寸: 通过增大单颗led的有效发光面积,和增大尺寸后促使得流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

大功率led封装以及散热技术

d器件就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造方有如下几种: 2.1加大尺寸: 通过增大单颗led的有效发光面积,和增大尺寸后促使得流经tcl层的电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

led灯泡的噪声对策:噪声电流有两种模式

修订后的日本《电气用品安全》将从2012年7月开始施行。经过此次修订,led灯泡也成为了该规的适用对象。在几项限制标准中,尤其引人关注的是关于电磁噪声强度的限制。目前市场上出

  http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271117.html2012/4/10 17:16:35

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