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led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led灯具将成照明产业大势所趋 视觉享受和节能同行

 记者从国家发展改革委资司了解到,国家将继续大力推广led照明设备,逐步取消传统白炽灯的生产和使用。有关专家表示,世博会后,无论是旅游景点,还是大型建筑、商场宾馆,采用led取代传

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258535.html2011/12/19 10:58:41

led散热铝础知识

特的金属覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座,从而减少灌封胶部分产生的热

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258527.html2011/12/19 10:58:20

哪种背光源才最好 主流led技术大揭秘

点。其中,外观设计尤以幻彩晶虹(tco工艺)以及悬浮设计为流行趋势;而流畅画质方面,200hz的广泛引入是其主要的技术亮点;而在娱乐功能和绿色保方面,创新娱乐和节能可循则成

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258491.html2011/12/19 10:56:14

led技术在照明领域的应用前景

构从事氮化镓蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有:日本的nichia;美国的lumileds、gree;德国的osram等。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

垂直结构led技术面面观

底上的垂直结构gapled芯片有两种结构:不剥离导电砷化鎵生长衬底:在导电砷化鎵生长衬底上层叠导电dbr反射层,生长 gap led外延层在导电dbr反射层上。剥离砷化鎵生长衬

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