站内搜索
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的ingan，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
2006年8月22日，虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步，但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
者亦可用磊晶的方法长在半导体芯片的基
https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00
台湾科学工业园区管理局今天召开第151次创新技术研究发展计划奖助审核会议，通过奖助旭明光电新台币300万元研发“高亮度与高发光效率氮化镓发光二极管”。
https://www.alighting.cn/news/20060421/101032.htm2006/4/21 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
业界消息，台湾中晶光电量产的tft玻璃基板技术，已被浙江、洛阳及安徽等地的玻璃厂相中，并相继赴台洽询整厂技术输出。
https://www.alighting.cn/news/20050318/105170.htm2005/3/18 0:00:00
台湾中晶光电量产的tft玻璃基板技术，已被浙江、洛阳及安徽方兴科技等大陆玻璃厂相中，并来台洽询整厂技术输出。由于基板不在禁止登陆的投资项目，台湾首度量产成功的基板技术，极有可能西
https://www.alighting.cn/news/20050316/104607.htm2005/3/16 0:00:00
