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配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｏｃｖｄ是一种利用气相反应物，或是前驱物ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ和ⅲ族的有机金属和ⅴ族的ｎｈ３，在基材ｓｕｂｓｔｒａｔｅ表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
中批量生产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
1)。 3材料选用 3．1陶瓷盖 led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00
蓝光激发产生蓝绿红三色染料 蓝色led znse 外延层出现蓝光，激发衬底出黄光 紫外led ingan/荧光粉 紫外光激发三基色荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00
量生产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
比很大，一般采用晶体管并联的形式，在版图上通常以waffle的结构实现。 如果开关管的衬底未与源端相接，则会产生衬底偏置效应，使开关管产生阈值损失，导致电荷泵电压无法升至设定值。如
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133849.html2011/2/19 23:30:00
中批量生产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
膏的厚度、宽度均匀一致 4. 经过连续冲床和加工模具进行鳍片加工 5. 冲压完成后，通过治具将铜底和鳍片进行定位，压力适中，为回流焊接做准备 6. 通过治具检查
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133425.html2011/2/18 13:47:00
