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中村修二教授1993年在日本日亚化工（株）就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪生。
https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00
在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色led。
https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00
日前，飞利浦lumileds公司已选择美国维易科公司（veeco instruments inc.）的turbodisc? k465? 氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉
https://www.alighting.cn/news/20090826/106482.htm2009/8/26 0:00:00
美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵（GaN）与e475砷化磷（as/
https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
电脉冲，高能静电脉冲释放出的能量能够在半导体材料上融化出孔洞（如图），生成小裂纹，延伸到led材料的表面。 三个研发小组（三星、eudyna device
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
体公司研发GaN衬底的led同质外延技术，美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技
https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33
