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波,都有一个由场方向和传播方向组成的平面,那就是波的偏振面.大多数光源发出的光都是非偏振光,这种光波的扁振面是杂乱无章的。某些透明晶体仅对便振面在某一特定方向上的光波有透射，通过这种晶
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/6/20/319568.html2013/6/20 19:32:12
硅芯片，集成电路、高精度印制电路板清洗和表面改质。2、光学器件、石英晶体、密封技术、带氧化膜的金属材料。3、有机玻璃，pp, pe菲林。详情请点击瑞森特公司网站：www.uv5
http://blog.alighting.cn/tbuvtd6/archive/2010/1/29/26218.html2010/1/29 9:50:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
为eg=1.9 ev（红色）至eg=3.0 ev（紫色）。一般而言led材料的内部量子效率为10%～15%，其损失来自晶体缺陷与错位等材料缺点。led晶片中的光子辐射仅是制造使
http://blog.alighting.cn/1173/archive/2007/11/26/8570.html2007/11/26 19:28:00
射的光子数和每秒通过ｌｅｄ的电子数目之比[４]。提高内量子效率的关键在于改进晶体的外延工艺、减少晶体的错位等缺陷，通过优化量子阱阱宽等措施改善量子阱结构[２]，从而进一步提高芯片质
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
e的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性晶圆生长或侧向晶圆生长技术采用这种技术可以进一步减少位错密度,改善gan晶圆层的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
著的增加。在近代电子学中用得最多的半导体就是硅（ｓｉ）和锗（ｇｅ），它们的最外层电子都是４个，在硅或者锗原子组成晶体时相邻的原子相互影响，使外侧电子变成两个原子共有的，这就形成了晶体
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9230.html2008/10/30 20:13:00
明概念led（lightemittingdiode），又称发光二极管，它们利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9227.html2008/10/30 18:01:00
一、led（lighy emitting diode），又称发光二极管，它们利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98272.html2010/9/19 21:42:00
