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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。
https://www.alighting.cn/news/20140122/98465.htm2014/1/22 11:47:35
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
日前，国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产，并已接到第一笔商业订单，填补了国内该领域空白。
https://www.alighting.cn/news/20120418/99646.htm2012/4/18 10:06:10
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。
https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17
科锐将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件，还包括1200
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(sic)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
https://www.alighting.cn/news/20150113/97479.htm2015/1/13 9:28:51
科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
