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钻石底碳化硅 led的梦幻基材(上)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会

近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(casas)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(sic mosfet)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体

  https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56

科锐推出150毫米4h n型碳化硅外延片

科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。

  https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17

科锐推出50a碳化硅功率器件 实现低成本高能效

科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件,还包括1200

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

瑞萨电子推出三款碳化硅(sic)复合功率器件

瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(sic)复合功率器件,它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

科锐扩展产品种类,推出低基面位错 4h 碳化硅外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34

led材料新技术:我国成功研制出6英寸碳化硅晶片 年产7万片

不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20150113/97479.htm2015/1/13 9:28:51

科锐推出芯片型碳化硅功率器件 助力高效电力电子模组

科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革,宣布推出业界首款符合面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化

  https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36

凯乐士碳化硅材料运用于led散热领域进测试阶段

日前积极将碳化硅材料运用于led散热领域的凯乐士(kallex)公司,目前已进入测试阶段,该公司所研发的散热涂料已应用于铝合金散热鳍片表面之喷涂。将铝鳍片喷上碳化硅散热涂料之

  https://www.alighting.cn/resource/20100105/128760.htm2010/1/5 0:00:00

cree成为大众汽车集团fast项目sic碳化硅独家合作伙伴

2019年5月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – cree, inc. (nasdaq: cree) 作为sic碳化硅半导体的球引领者,成为大众汽车集团(volkswage

  https://www.alighting.cn/news/20190515/161917.htm2019/5/15 13:46:06

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