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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
以碳化硅(sic)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业exaGaN公司的多数股
https://www.alighting.cn/news/20200311/167030.htm2020/3/11 9:59:11
据国外媒体报道，意法半导体与ibm宣布，它们将签署协议合作开发下一代制造技术，新的技术将用于半导体的研发和制造。在协议条款下，共同开发的制造技术将在意法半导体法国的300毫米晶
https://www.alighting.cn/news/2007726/V2540.htm2007/7/26 14:15:46
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。
https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00
