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三安光电-深度报告(1)

截止2014 年中报,公司共拥有led 外延片核心设备MOCVD 170 台,三安光电led 芯片产能居全国首位,龙头地位显现,未来将充分受益行业的快速增长。

  https://www.alighting.cn/resource/20141229/123835.htm2014/12/29 15:16:45

应用自动数据分析软件可提高led制造中MOCVD外延工艺的良率

在2010-2011年,主要受到电视/电脑平板显示器背光板需求的驱动,led制造商在其生产设备上投入了巨资。由于目前这一需求驱动趋势已经放缓,使得有机金属化学气相沉积(mocv

  https://www.alighting.cn/2014/12/26 14:02:08

MOCVD生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用MOCVD方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

MOCVD法制备cu掺杂zno薄膜

本文采用MOCVD法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜,利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源,通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件,并利用x射

  https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13

通过倒易空间扫描表征pin-algan外延材料

本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对algan 材料的MOCVD 外延生长具有重要的指导意义。

  https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29

n极性gan薄膜的MOCVD外延生长

采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

基于led应用的分布布拉格反射器

从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况,并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。

  https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20

led蓝宝石基板缺陷检测

高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的,那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验?

  https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06

led半导体照明外延及芯片技术的现状与未来趋势

半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。

  https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00

2014年电子行业之细分led投资策略报告

2013-2016年,信心恢复,景气向上,产业有望恢复高速增长。随着led照明需求快速增长及去产能化过程,行业更加健康,市场集中度逐渐提升,价格相对稳定(技术提升下降),行业逐渐恢

  https://www.alighting.cn/resource/20140214/124858.htm2014/2/14 14:53:22

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