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led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

大功率led散热技术和热界面材料研究进展

介绍了目前led 常用的几种热界面材料,指出碳纳米管是一种非常有潜力的热界面材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20150128/123675.htm2015/1/28 9:48:27

zns作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

宽禁带的zns缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:50:57

建筑物理光第五课室外照明设计

魂,高耸于广场之上,两块浮雕墙分别以红桥区的过去、现在和将来为素材,展现了历史与文化的内涵。因此,以高亮度投光照明,展示广场主题,配以后广场景音乐喷泉水下灯照明,构成明亮的视觉中

  https://www.alighting.cn/resource/20150119/81966.htm2015/1/19 16:35:04

低电压、低功耗模拟电路设计方案

本文研究了驱动mos管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法,并且运用这种技术设计低电压低功耗驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。

  https://www.alighting.cn/2014/12/31 11:00:28

mocvd生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在sic上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

降结温提寿命的新型led散热技术方案(上)

从cree公司发布的光衰和结温的关系图(图1)中可以看出,结温假如能够控制在65°c,那么其光衰至70%的寿命可以高达10万小时!这是人们梦寐以求的寿命,可是真的可以实现吗?是的,

  https://www.alighting.cn/2014/12/23 10:27:59

mocvd法制备cu掺杂zno薄膜

本文采用mocvd法在c-al2o3 上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜,利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源,通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件,并利用x射

  https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13

图形反转工艺制作oled器件的阴极分离器

应用az5214光刻胶的反转特性, 在玻璃基板上制作oled器件的阴极分离器。

  https://www.alighting.cn/resource/20141212/123929.htm2014/12/12 14:37:35

led封装工程师的个人调研总结(三)

本文将继续分析led封装工程师的个人调研总结,希望这个分享可以让你有所收获。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123950.htm2014/12/10 10:35:54

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