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对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
本文为大家介绍led的分选的两种方法。一是以芯片为基础的测试分选，二是对封装好的led进行测试分选。
https://www.alighting.cn/resource/20150303/123537.htm2015/3/3 11:15:30
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
本文继续分析一种降低结温提高寿命的新型led散热技术方案，详情请看下文。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123553.htm2015/3/2 10:58:18
对gan基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
文章从理论上研究了一种应用于光纤到户(ftth)网络中的基于单片集成的双端口光收发芯片，结合器件的结构和参数分析了该产品的直接调制特性，计算了其驰豫振荡、增益抑制和频率啁啾，得到了
https://www.alighting.cn/2015/2/12 10:53:24
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高gan样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
本文介绍了国产设备在led外延芯片生产线上的应用及发展趋势，详情请看下文！
https://www.alighting.cn/2015/2/3 17:09:23
