站内搜索
从led工作原理可知，外延片材料是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20101207/128146.htm2010/12/7 13:53:39
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
院物理研究所周均铭教授做了题为《制备超高亮度、大功率led外延材料的生长技术》的报
https://www.alighting.cn/news/20080125/102839.htm2008/1/25 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。
https://www.alighting.cn/news/20091015/V21208.htm2009/10/15 10:06:19
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上gan外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
