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研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
自二十世纪九十年代首次开发出白色oled以来，研究人员进行了许多尝试，以便在实际亮度水平下实现白色光谱和高发光效率之间的平衡。
https://www.alighting.cn/pingce/20190716/163526.htm2019/7/16 10:46:02
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
文章简述了提高外量子效率的集中有效途径，如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术，纳米压印与su8胶相结合技术、光
https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
目前，日本广岛大学的科研人员已经将硅基量子点用于研发一种新型的发光二极管，并承诺这将是照明系统史上一场新的革命。量子点led作为下一代的led已经吸引了大量的注意。尽管它的成功应
https://www.alighting.cn/news/20150611/130076.htm2015/6/11 9:43:38
旭明光电 (纳斯达克股票代码：leds)最近宣布，该公司紫外光led芯片波长在390-420nm时， led的发光外部量子效率已达40%。
https://www.alighting.cn/news/201258/n014439514.htm2012/5/8 8:56:31
