站内搜索
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
应用材料公司推出化学气相沉积薄膜技术，实现基于金属氧化物的高分辨率显示。平板电脑和电视的显示屏正在逐步采用金属氧化物技术，以获得更佳性能，而全新akt-pe cvd薄膜技术为客
https://www.alighting.cn/pingce/20120321/122544.htm2012/3/21 11:52:37
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
oled生产过程中最重要的一环是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上，形成关键的发光显示单元。oled是一种固体材料，其高精度涂覆技术的发展是制约oled产品化的关键。
https://www.alighting.cn/resource/20120913/126408.htm2012/9/13 14:13:35
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
本文通过改变器件结构的方法来改善红绿磷光器件性能,制备了以cbp为主体,gir1和r-4b为绿、红磷光掺杂的oled器件。利用红绿双发光层间加入较薄间隔层的方法,得到了发光性能较
https://www.alighting.cn/2015/3/17 11:04:59
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
