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中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的LED高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
白光LED正朝着更高光效、更好光色品质、更高封装密度和更高信赖性方向发展。其中的氮化物红色荧光粉的性能直接影响到白光LED的光效、色温、显色指数以及使用寿命，特别是其抗高温高湿性
https://www.alighting.cn/news/20160411/139150.htm2016/4/11 14:48:10
针对LED的散热问题，LED产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
授就重点阐明了氮化物衬底LED发展现状暨前
https://www.alighting.cn/news/20120716/89214.htm2012/7/16 14:07:41
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，LED器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
在最近约20年里，LED照明使用的荧光材料(以下称“LED荧光材料”)一直是使LED发光的关键因素，最初是发红色和黄色光，后来是蓝光和绿光，最后是白光。如果没有荧光材料，LED市
https://www.alighting.cn/news/20150717/131074.htm2015/7/17 10:40:03
硅上氮化镓(gan)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。
https://www.alighting.cn/news/20070821/121190.htm2007/8/21 0:00:00
这项成果无疑是一项重大技术突破，也为下一代电子和光电器件找到了大规模、低成本工业化生产的可能手段。而石墨烯薄膜在材料领域的广泛应用，也将会催生更多强强联合的卓越材料，拉近我们
https://www.alighting.cn/news/2014928/n777666009.htm2014/9/28 9:27:04
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
