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基于si衬底的功率型GaN基led制造技术

→钝化→划片→测试→包装。   1.2主要制造工艺   采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长GaN基mqw结构。使用三甲基(tmg

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光体白光led

类荧光体成为一朵耀眼的奇葩。   在固态照明推动下,从 2000 年以来,一类热稳性好,化学稳定性和发光特性优良的无毒的稀土激活的氮化物和氮氧化物被强有力的发展,尤以 eu2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

pyro 400在线测量GaN温度

laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或sic晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量GaN

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00

GaN基发光二极管的可靠性研究进展

1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led,GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00

GaN基发光二极管的可靠性研究进展

1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led,GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震、高

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00

GaN基发光二极管的可靠性研究进展

1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led,GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物基led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中,用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

imec发布200毫米cmos硅衬底晶片生产技术

imec(interuniversity microelectronics centre,欧洲微电子研究中心)近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化工业联盟计划(iia

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00

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