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硅基氮化在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化薄膜.以单质源制备盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

GaN基led材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化的外延结构的属性和氮化基高性能芯片设计两个方面对氮化材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发

  https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33

解读GaN on GaN led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在GaN on GaN技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今GaN o

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

标准GaN外延生长流程

本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。

  https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49

硅基GaN能否战胜蓝宝石

在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

电子束辐照对GaN基led发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(下)

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41

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