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主要规定了氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片的技术要求、检验方法、检验规则、标志的规定、包装、运输和贮存的要求，以及相关工艺和工艺环境的要求等。本标准适用于制备半导体发光二极管的外
https://www.alighting.cn/news/20110729/109464.htm2011/7/29 16:03:22
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
日前，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
历经过去几年惨烈价格战，led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示，晶电选择切入利基市场，聚焦氮化镓功率元件(ga
https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56
新型硅上氮化镓(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时，色温5000k，显色指数为70的tl1f1-nw0,l光
https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01
元以上。另值得关注的是，普瑞光电矽基氮化镓led将于明年正式启动委外量产，此新技术对未来led产业的影响性，各界亦格外关
https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
美国bridgelux近日宣布，将强化和扩展其与日本toshiba在技术策略层面上的合作。
https://www.alighting.cn/news/20130524/112357.htm2013/5/24 10:03:28
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
