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爱思强股份有限公司今日宣布，新客户位于比利时哈瑟尔特的iii 族氮化物外延材料新制造商epigan 已成功调试两套新mocvd 系统，可在6” 或8” 多项配置下运行。epiga
https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49
据报道，美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作，共同新建一家先进的氮化镓基板(gan on gan)led制造工厂。据悉，新工厂将雇
https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54
历经过去几年惨烈价格战，led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示，晶电选择切入利基市场，聚焦氮化镓功率元件(ga
https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
现在市场上广泛使用的极化(c 平面)氮化镓材料具有很强的自发压电极化特性，这一点是许多器件性能问题的主要原因，比如内部量子效率的减小，阱厚度的限制，高的正向电压，载流子的溢出等
https://www.alighting.cn/pingce/20130926/121903.htm2013/9/26 15:36:04
2000年韩国制定了“氮化镓半导体开发计划”，成立光产业振兴会(kapid)，负责计划的组织与实施。2000-2008年政府计划投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20070803/101059.htm2007/8/3 0:00:00
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
美国led大厂bridgelux(普瑞光电)运用“氮化镓上矽”(gan-on-silicon)的led技术，已达成每瓦135流明之效能。这使得bridgelux在矽半导体基板le
https://www.alighting.cn/news/20110328/117081.htm2011/3/28 10:58:47
高品质蓝宝石和碳化硅衬底使氮化镓设备(主要是高亮度led)市场快速增长，2008年，市场就已达46亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20090601/95874.htm2009/6/1 0:00:00
