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目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光LED磊晶技术，技术面皆已突破现今gan o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
研究了氮化铝薄膜对 LED 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(ks609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明：导热涂层能加强 LED 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂；对红
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125968.htm2013/3/4 13:53:37
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种LED芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光LED外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
gan（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用gan功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货gan类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
