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普瑞(bridgelux)公司在三月份的公告中称，它已成功的使用八英寸硅片，使元件达到135 流明每瓦，在实验室中采用八英寸硅氮化镓的led的发光效率已接近生长在蓝宝石或碳化硅晶
https://www.alighting.cn/news/2011812/n068533843.htm2011/8/12 8:32:35
新型硅上氮化镓(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时，色温5000k，显色指数为70的tl1f1-nw0,l光
https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01
led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
aixtron近日推出最新产品aix g5+，为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备，可一次处理5片8吋晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
矽基氮化镓(gan-on-si)发光二极体(led)发展正面临严峻考验。仅管普瑞(bridgelux)、lattice power已双双宣布将导入矽基氮化镓led量产，然囿于矽
https://www.alighting.cn/news/20120702/89171.htm2012/7/2 10:04:58
美国bridgelux近日宣布，将强化和扩展其与日本toshiba在技术策略层面上的合作。
https://www.alighting.cn/news/20130524/112357.htm2013/5/24 10:03:28
