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科锐推出新型1200v z-rec? 碳化肖特基二极管系列

碳化 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化 (sic) 肖特基二极

  https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32

科锐推出首款商用全碳化功率模组

科锐公司推出首款商用全碳化功率模组,再次彰显其碳化功率技术的优异性能与可靠性。新型高频率模组额定电流100a,额定阻断电压1200v,可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系

  https://www.alighting.cn/pingce/20121119/123045.htm2012/11/19 10:44:36

碳化功率半导体项目落户江苏徐州,总投资3亿

据徐州高新发布指出,此次视频签约的项目主要包括徐工基础、碳化功率半导体、凯思泰克自动化智能电子设备、柔性物流智能装备等四个项目,项目总投资51亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20200219/166572.htm2020/2/19 9:37:23

钻石底碳化 led的梦幻基材(下)

碳化(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

半导体新潮流 全球争研碳化芯片

日经新闻报道指出,鉴于全球半导体产业掀起碳化晶片潮流,日本电子业亦积极发展碳化晶片科技,并已运用于多项领域。

  https://www.alighting.cn/news/201487/n863564758.htm2014/8/7 11:21:59

科锐推出低基面位错4h碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

国星光电参与两项碳化团体标准起草及讨论会

近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(casas)邀请参与了《碳化金属氧化物半导体场效应晶体管(sic mosfet)热阻电学法测试方法》、《碳化金属氧化物半导体场效应晶体

  https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56

科锐推出50a碳化功率器件 实现低成本高能效

科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50a碳化功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化mosfet器件,还包括1200

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

瑞萨电子推出三款碳化(sic)复合功率器件

瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化(sic)复合功率器件,它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化的第二个功

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化外延片

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

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