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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
硅zfet? mosfet器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。这两款1200v mosfet裸芯片已经发布并能够量产使
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
cree和纽约研究，经济进步，技术，工程与科学中心(又称纽约州creates)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化硅测试晶片。新工厂将成为世界上第一个生产20
https://www.alighting.cn/news/20191101/164814.htm2019/11/1 9:56:26
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/7/155345_18.htm2014/3/7 15:53:45
科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
全球知名半导体制造商rohm开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源pfc电路1的、第3代sic肖特基势垒二极管“scs3系列”。
https://www.alighting.cn/news/20160510/140113.htm2016/5/10 14:39:35
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大sic碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
凌力尔特公司推出的双路理想二极管“或”控制器ltc4355允许在高可用性系统中用n沟道mosfet取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。
https://www.alighting.cn/news/2007419/V2343.htm2007/4/19 9:35:15
