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东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产
https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。
https://www.alighting.cn/news/20140122/98465.htm2014/1/22 11:47:35
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
日前，国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产，并已接到第一笔商业订单，填补了国内该领域空白。
https://www.alighting.cn/news/20120418/99646.htm2012/4/18 10:06:10
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。
https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17
科锐将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件，还包括1200
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(sic)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
