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东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产
https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。
https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17
科锐将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件，还包括1200
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(sic)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
日前积极将碳化硅材料运用于led散热领域的凯乐士（kallex）公司，目前已进入测试阶段，该公司所研发的散热涂料已应用于铝合金散热鳍片表面之喷涂。将铝鳍片喷上碳化硅散热涂料之
https://www.alighting.cn/resource/20100105/128760.htm2010/1/5 0:00:00
科锐于近日宣布推出全碳化硅300a/1.2kv半桥式模块。这一新型模块采用业界标准62mm封装，在开关过程中能够比同等硅基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全碳化
https://www.alighting.cn/news/2014521/n343662407.htm2014/5/21 9:17:02
