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aln缓冲层厚度对脉冲激光沉积技术生长的gan薄膜性能的影响

采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17

mocvd技术在光电薄膜中的应用

mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此,mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术,mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带

  https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06

苏州奥美向全球最大聚碳酸酯薄膜研发生产基地进军

"奥美"牌聚碳酸酯薄膜&片材已经成为聚碳酸酯薄膜&行业的领军品牌。

  https://www.alighting.cn/news/20170824/152413.htm2017/8/24 17:52:20

zno的用途及其薄膜的制备方法

阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原

  https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19

国内薄膜电容器的市场需求已被打开

未来三年节能灯市场将以30%以上的速度成长。随着日本、美国、欧洲、澳大利亚等国强制在2008年进行节能灯代替白炽灯的法令颁布及实行,薄膜电容器的需求市场空间已被打开,未来2-3年

  https://www.alighting.cn/news/2008626/V16269.htm2008/6/26 9:13:39

帝人展出led背照灯用薄膜底板

杜邦薄膜使用白色pen(polyethylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜“teonex”成功试制了led背照灯用薄膜底板。具体做法是,在2张pen薄膜

  https://www.alighting.cn/news/20081106/120297.htm2008/11/6 0:00:00

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

行家光电研发出可用于csp的薄膜涂布专利技术

行家光电总部设在香港,在美国硅谷、台湾新竹、中国大陆浙江嘉兴设有全资子公司。行家光电成功研发最先进的薄膜涂布专利技术,将应用在半导体的制程精神导入至白光led荧光粉涂布,可成功供

  https://www.alighting.cn/news/20160426/139747.htm2016/4/26 9:55:49

蓝光led 芯片透明导电薄膜ito退火工艺的研究

通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16

蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延zno薄膜

在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18

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