站内搜索
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的gan 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
