站内搜索
介绍了静电产生的原因、条件以及对led的危害等内容,讨论了静电放电的防护方案及产品的应用场合。
https://www.alighting.cn/resource/20110525/127548.htm2011/5/25 17:28:33
随着led应用环境的多元复杂化，led下游商对上游晶粒品质的要求日趋严苛，如led耐静电测试(electrostatic discharge, esd)的电压值就从原本4kv要
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126060.htm2013/2/17 14:55:27
在led显示屏的生产过程中，经常会产生静电，如果不能很好的防护静电，将会对led显示屏的子质量和寿命带来影响，给led显示屏带来隐患，以至于影响整个led市场。
https://www.alighting.cn/resource/20110107/128094.htm2011/1/7 11:30:55
企业选用抗静电指标较高的led(芯片)，将能彻底解决你的静电带来led的漏电、死灯等品质事故，因为抗静电高的led,它能适应各种环境，例如led抗静电在2000v以上，它一般都
https://www.alighting.cn/resource/20120731/126483.htm2012/7/31 14:08:00
三个研发小组（三星、eudyna devices和epivalley公司）已发表了他们的研究成果，他们找到了使对静电放电伤害敏感的大功率led减弱静电危害的方法，从而避免灾难
https://www.alighting.cn/resource/20090515/128695.htm2009/5/15 0:00:00
对gan基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
静电红外线热辐射光学球泡灯pw-qp-46-001，为东莞市普万光电散热科技有限公司2015神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20150327/83898.htm2015/3/27 17:10:29
静电红外线热辐射光学pc材料关键技术研究，为东莞市普万光电散热科技有限公司2015神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20150417/84650.htm2015/4/17 9:51:40
