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本文要以表面封装型lEd为焦点，介绍表面封装用基板要求的特性、功能，以及设计上的经常面临的散热技术问题，同时探讨o2pEra(optimizEd output b
https://www.alighting.cn/resource/20111125/126850.htm2011/11/25 14:30:54
本文档为台湾新世纪bluE ingan/gan lEd chip p2 (45)lEd芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
附件为洲明瀚源 总经理李权先生在2014中国(上海)照明电商渠道发展论坛上作出的演讲《洲明翰源照明o2o模式探索》ppt，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/2014/11/26/182310_68.htm2014/11/26 18:23:10
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
dialux4.6.0.2新增功能： 过去新式自动存储对话框会隐藏窗口中鼠标的光标，dialux似乎因此对新数据无回应。现在该问题已解决。 复制联合的灯具过程(例如&
https://www.alighting.cn/resource/2009311/V772.htm2009/3/11 11:24:34
采用高温固相反应法制备sr3al2o6-3x/2nx∶Eu2+发光材料。发光光谱分析表明,该材料在400~550nm可见光激发下,发射光谱为峰值波长为600 nm的宽带谱。xr
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
此应用说明解释了在制造过程中，应当如何处理xlamp xp—E和xp—clEd以及含有这些lEd的组件。请阅读全文，以了解正确处理xlamp xp—E和xp—c lEd的方法。欢
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/14/16731_60.htm2013/11/14 16:07:31
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，sE
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
https://www.alighting.cn/resource/2009311/V770.htm2009/3/11 10:10:50
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于lEd芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用gan类半导体的lEd芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
