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利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
5 、rx7s 、par30、par20、mr16、mr11、ar111、ar80、ar70、plc、g6.35 、g5.3、g4)；3、不同的反射器配光(10°、24°、45°)；
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/153631_03.htm2011/9/23 15:36:31
出图形，使设计人员及时对设计作出判断和修改;利用计算机可以进行与图形的编辑、放大、缩小、平移和旋转等有关的图形数据加工工作。 安装方法： 序列号111
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/13/135320_35.htm2011/12/13 13:53:20
