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石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
出图形，使设计人员及时对设计作出判断和修改;利用计算机可以进行与图形的编辑、放大、缩小、平移和旋转等有关的图形数据加工工作。 安装方法： 序列号111
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/13/135320_35.htm2011/12/13 13:53:20
