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图1所示。 如果eh、EV1、EV2、EV3、EV4、比较接近，灯光下的运动员或物体的立体感较差，物体缺乏层次，不生动，很难看清三维空间的物体。另一方面，如果这五个参数差别较
http://blog.alighting.cn/1311/archive/2007/11/26/8204.html2007/11/26 19:28:00
1～1020/cm3范围。2.4gan的光学特性人们关注的gan的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了gan直接隙能量为3.39e
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度ｅg有关，即λ≈1240/eg（mm）式中eg的单位为电子伏特（EV）。若能产生可见光（波长在38
http://blog.alighting.cn/meifuhui/archive/2008/7/4/55.html2008/7/4 22:53:00
修。（专做批发，品质保证，价格优惠）本公司专门销售台湾东元变频器: 7300EV 7200cx 7200ma 7200gs 7300pa新款7300EV 迷你矢量型110v级，1φ
http://blog.alighting.cn/lili8888/archive/2010/10/6/102074.html2010/10/6 10:07:00
为eg=1.9 EV（红色）至eg=3.0 EV（紫色）。一般而言led材料的内部量子效率为10%～15%，其损失来自晶体缺陷与错位等材料缺点。led晶片中的光子辐射仅是制造使
http://blog.alighting.cn/1173/archive/2007/11/26/8570.html2007/11/26 19:28:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7EV和3.2EV。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
近pn结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度eg有关，即λ≈1240/eg（mm）式中eg的单位为电子伏特（EV）。若能产生可见光（波
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
起了重视，开展了学术研究，提出了一些控制指标，如澳大利亚学者提了对控制光干扰（光污染）的光度参数最大值，包括垂直面照度（EV）、灯具发射强度（i）、限增量（ti）等；又如英国在限
http://blog.alighting.cn/1090/archive/2012/12/23/305202.html2012/12/23 8:37:38
系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(EV) 发光二极管(led)一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
-300kw)内含直流电抗器及输出滤波器可降低对电源的污染7300EV :迷你矢量型(110v:0.2-2.2kw 220v:0.2-2.2kw 440v:0.75-2.2k
http://blog.alighting.cn/lili8888/archive/2010/10/6/102051.html2010/10/6 10:04:00
