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日本福田结晶技术研究所成功试制出了口径为50mm（2英寸）的scalmgo4（scam）晶体。设想用于蓝色led元件及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件的基板。
https://www.alighting.cn/news/2014812/n449064850.htm2014/8/12 11:49:28
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化，该工具以悬挂的种晶架为特征，并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
据来自于日本经济新闻方面的消息，三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
philips lumileds的科学家日前宣布在制造出号称至今光提取效率最高的光子晶体发光二极管(photonic-crystal led)，其光提取率高达73%，最高亮度是一
https://www.alighting.cn/news/2009429/V19558.htm2009/4/29 10:19:14
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在GaN中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
以GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件，如照明和颜色显示的白光或彩色led，可用于信息存储和激印的蓝紫光激光
https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
