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量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

日本发表使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

led需求大增 三菱化学扩大GaN基板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

三菱化学拟扩增led用GaN基板产能至2倍

因照明用led需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23

GaN同质衬底应用前景广阔技术有待提高

GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色led,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

cree宣布与三菱化学签订GaN基板授权合约

议,mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense

  https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

2012年GaN led市场将逐步回暖

ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%,预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖,并且由

  https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54

led行业未来3年硅基 GaN专利战将全面打响

硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

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