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衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料,ingaalp外延片制造的LED发光波段处在550～650nm之间,这
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
近日，台湾面板大厂奇美集团旗下子公司奇力光电LED外延片项目与广东省佛山市南海区签约，标志该项目正式落户佛山市南海罗村的广东新光源产业基地核心区。该项目占地40亩，计划在3年内投
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/19/179691.html2011/5/19 8:28:00
a technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延片级LED硅基封装技术,并以此项技术提供高功率LED之封装代工服务,对于有高性能需求、微型化以及具成本竞争力的固态式照
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230915.html2011/7/26 21:39:00
由LED工作原理可知,外延材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条：?ゼbr①禁带宽
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
米以下的紫外LED。由于sic衬底有益的导电性能和导热性能,可以较好地解决功率型gan LED器件的散热问题,故在半导体照明技术领域占重要地位。同蓝宝石相比,sic与gan外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
法涂抹均匀。散热铜敷板和散热片或金属支架灯、金属外壳的接触，现在很多LED灯厂家使用我公司提供的软性硅胶导热片，可以大面积的铺垫,操作方便.最薄的是0.5mm，厚度可选择，1.0mm
http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39206.html2010/3/31 17:06:00
近日，山西陆合煤化集团有限公司总投资30亿元人民币的山西飞虹微纳米光电科技有限公司白光大功率LED外延及芯片产业化项目，一期环评报告正式对外公示。 该项目坐落于山西临汾甘亭新
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179090.html2011/5/17 16:24:00
d照明散热技术大功率LED照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267906.html2012/3/15 21:04:46
