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Plessey获得670万英镑拨款 欲进行LED扩产

近日,普莱思半导体(Plessey semiconductors ltd)宣布收到来自英国政府区域成长金(rgf)一笔670万英镑的拨款,旨在助其扩大位于普利茅斯的LED制造工

  https://www.alighting.cn/news/20150903/132336.htm2015/9/3 9:24:26

国家科技支撑计划“高亮绿光LED研发”通过项目验收

2015年12月17日,由南昌大学承担的国家科技支撑计划项目“高亮绿光LED研发”在南昌顺利通过结题验收。科技部高新司材料处、科技部资管司研发二处、科技部高技术中心材料处的有

  https://www.alighting.cn/news/20160118/136491.htm2016/1/18 10:22:32

普莱思借力爱思强 扩大氮化镓LED生产

普莱思半导体有限公司今日宣布已订购另一套crius?ii-xlmocvd 系统用于氮化镓LED(发光二极管)的生产。

  https://www.alighting.cn/news/20140528/110692.htm2014/5/28 13:45:52

华灿光电股份有限公司王江波: 创新性光源——InGaNLED芯片技术研究与展望

王江波也指出了ingamLED芯片技术研究重点与挑战,主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光LED效率提升等三个方面。

  https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44

Plessey研发新工艺,提高micro LED显示屏光输出

日前,英国Plessey semiconductors表示,它已开发出专有的二维(2d)平面氮化镓(gan-on-si)工艺,无需色彩转换技术即可发出绿光。

  https://www.alighting.cn/news/20190403/161477.htm2019/4/3 9:44:10

比利时采用氮化鎵开发大功率白光LED

日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(gan)技术成本,采用大直径的

  https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00

衬底gan垂直结构高效LED的最新进展

附件为《衬底gan垂直结构高效LED的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

LED行业未来3年 gan专利战将全面打响

gan衬底面临一些技术挑战。gan和之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

晶能光电融资扩产大功率LED芯片

作为江西省LED产业龙头企业和全球LED技术的领导者,晶能光电积极在高新区布局LED产业,吸引了多家企业入区配套,形成了LED产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完

  https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36

Plessey计划在英国工厂制造高亮度LED

英国仅存的几家半导体制造商之一普莱思半导体(Plessey)准备开始生产高亮度LED,制造中将采用剑桥大学所研究的一项备受关注的技术。

  https://www.alighting.cn/news/20120208/113939.htm2012/2/8 16:04:53

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