检索首页
阿拉丁已为您找到约 1360条相关结果 (用时 0.0098287 秒)

生长温度对Si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

led Light bar生产技有待改进

随着发光二极体(led)替代ccfl作为面板背光源的趋势逐渐成型,尤其是led应用不仅止于中小尺寸,近期已开始朝大尺寸面板发展,在led灯条(led Light bar)的相关封

  https://www.alighting.cn/news/20080227/92716.htm2008/2/27 0:00:00

uv led口罩来了!semicon Light与中美专利持有人联合开发

据韩国媒体报道,韩国led制造商semicon Light于2月18日宣布,已与美国和中国的专利持有人签署了一项联合开发协议,以使用其uvc-led技术开发消毒口罩。

  https://www.alighting.cn/news/20200219/166568.htm2020/2/19 9:25:02

zigbee批准Light link标准 统一规范led控制

“高效节能灯泡,led灯具,传感器,定时器,遥控器都可以采用zigbee Light link进行互联,用户能够轻松完成安装,并在家庭照明网络里增添额外的设备。与zigbee产

  https://www.alighting.cn/news/20120420/113543.htm2012/4/20 11:52:04

Si衬底gan基蓝光led钝化增透膜研究

Si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层Sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

转移基板材质对Si衬底gan基led芯片性能的影响

Si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

基于Si衬底的功率型gan基led制造技术

性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,Sic同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si

  https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30

全球照明领导企业选择zigbee Light link

皮斯卡塔韦,新泽西(2013年7月15日)– 互联照明联盟(the connected Lighting alliance)今天宣布其签署zigbee Light link作为家

  https://www.alighting.cn/news/2013715/n498353799.htm2013/7/15 22:00:59

scale Light——2017神灯奖申报设计类

scale Light,为华南师范大学梁浩钧2017神灯奖申报设计类产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170411/150015.htm2017/4/11 13:28:26

适用于色度学的手持式分光光度计probe4Light问市

probe4Light是一款创新的分光光度计,可用于光谱和光源颜色的特征描述。该产品专为led应用设计,可确保灵活性和成本效益。

  https://www.alighting.cn/news/20090609/120309.htm2009/6/9 0:00:00

首页 上一页 1 2 3 4 5 6 7 下一页