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科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00

cree公布SiC底板缺陷密度与芯片成品率的关系

美国大型SiC底板厂商科锐(cree)在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议(ecscrm)”上,以“defect control in si

  https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00

美国cree拟于2009年开始供应SiC底板

美国cree表示,计划于2009~2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸,很多元器件厂商均要求供应这种口

  https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00

SiC制功率元件前景备受期待

滨田指出,因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限,所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例,如果使用SiC制功率元件,

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31

京都大学公布SiC制bjt最新成果

日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49

世界首家“全SiC”功率模块开始量产

日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide:碳化

  https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24

cree推出更高性能的低成本SiC功率模块

cree目前推出业界首个商业化碳化硅(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的硅模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直

  https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17

cree推出口径为6英吋的SiC底板

美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋,约150mm的SiC底板,6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2,主要用于led、高频元件及功率半导体元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

科锐与abb宣布SiC合作,提供汽车和工业领域解决方案

11月18日消息,全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐与abb电网事业部宣布达成合作,共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。

  https://www.alighting.cn/news/20191119/165153.htm2019/11/19 9:43:00

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